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泰思肯全自动FIB-SEM为半导体封装失效分析提效
2024-11-21 16:24

2024年10月21日,TESCAN泰思肯扫描电镜集团宣布推出三款新型聚焦离子束双束电镜FIB-SEM系统:SOLARIS 2、SOLARIS X 2和AMBER X 2,以适应半导体封装失效分析的增长需求,并为亚10纳米技术节点及更高端技术提供自动化、精准度和更高效率的解决方案。

泰思肯全自动FIB-SEM为半导体封装失效分析提效

为了深入了解这些新系统,TESCAN已于2024年10月21日举办了网络研讨会,并在10月28日至11月1日于加利福尼亚州圣地亚哥举行的ISTFA 2024上,现场展示这些创新技术及其在半导体分析中的应用。

TESCAN SOLARIS 2:AI 驱动的 TEM 样品制备

TESCAN SOLARIS 2 采用 AI 驱动的 TESCAN TEM AutoPrep™ Pro 软件,实现全自动化TEM 样品制备。该系统专为亚 10 纳米技术节点设计,如先进的逻辑和存储器件备,能够制备出高质量的薄膜样品。

主要特点包括:

全自动 TEM 样品制备:AI 驱动的精确控制,以最小的损伤制备出高质量的样品,支持各种几何形状的样品选择所需角度切削,包括正切、平面切和倒切样品薄片。灵活的样品处理:使用 Triglav™ SEM 镜筒,实现高分辨率终点探测,适用于 GAA 和 FinFET 晶体管等先进器件。用户友好的操作:自动化工作流程减少设置时间,优化系统准备,确保各经验水平用户都能高效高质量制样,提高生产力。

TESCAN SOLARIS X 2:无镓污染 TEM 制备和先进的失效分析

TESCAN SOLARIS X 2 氙 FIB 镜筒升级为 Mistral™ 镜筒,扩展了物理失效分析的能力,为复杂的半导体封装提供大面积横截面切割和无镓污染 TEM 样品制备,包括 2.5D、3D 芯片(IC)和微电子机械系统(MEMS)器件。

主要特点包括:

大体积失效分析:使用 Mistral™ 氙离子 FIB 进行深度横截面切割,可达 1 毫米深度,触及深层结构。无镓污染 TEM 样品制备:制备高质量的无镓污染薄片,为先进封装应用保留样品完整性。精确的缺陷定位:Triglav™ SEM 镜筒能够实现纳米级精度,有助于在半导体先进封装中缺陷隔离。

TESCAN AMBER X 2:精密逐层剥离与原位电性分析

TESCAN AMBER X 2 提供精密逐层剥离,实现均匀、无伪影的结果,支持亚 10 纳米技术节点。该系统专为电性失效分析而建,允许通过基于扫描电镜的纳米探针进行原位验证和高效隔离缺陷。

主要特点包括:

均匀、无伪影逐层剥离:通过定制的气体化学成分如 Nanoflat Chase 和 C-maze 实现一致的结果,针对 NMOS 和 PMOS 晶体管进行优化。原位电性分析:扫描电镜与纳米探针的配合,可以在逐层剥离过程中实时诊断电性失效的原因。自动逐层剥离技术:TESCAN Delayering™ 软件自动探测终点,针对特定层进行详细失效分析。

这些系统旨在应对现代半导体技术的日益复杂性,提高研究人员和工程师进行失效分析的效率和准确性。

随着TESCAN三款升级FIB-SEM系统的推出,半导体失效分析领域将迎来更高效、精准的解决方案。TESCAN泰思肯扫描电镜集团将继续致力于技术创新,为全球科研人员提供先进的科学仪器,共同推动半导体技术的发展与进步。

线上发布会

深入了解TESCAN平台的能力,包括深层截面切割、TEM 样品制备和逐层剥离技术。

标题:《TESCAN 的 FIB-SEM 解决方案在半导体失效分析和研发实验室中的应用介绍》

注:直播已于10月21日结束,现在注册可以直接回看视频,有任何疑问,欢迎联系我们。

演讲人介绍

Lukáš Hladík 是TESCAN集团产品经理,负责FIB-SEM、表征以及逐层剥离/探针解决方案,用于实验室半导体失效分析研究。捷克布尔诺理工大学物理工程和纳米技术硕士学位。曾担任等离子FIB-SEM平台的应用专家。他在全球化半导体行业中拥有十多年丰富经验。

关于 TESCAN 集团

TESCAN集团,成立于 1991 年,从 4-5 名工程师组建的初创公司,现已发展成为一家拥有 700 多名员工的集团,拥有5家研发中心、2个生产基地以及8家海外子公司分布8个国家。其扫描和扫描透射电子显微镜(SEM & STEM)、聚焦离子束电子束双束电镜(FIB-SEM)和 显微CT(micro-CT),已售出并在全球 80 多个国家运行超过 4000 台仪器。

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